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Intel工藝升級(jí)，進(jìn)入埃米時(shí)代。新cpu熱設(shè)計(jì)功耗僅5W，適合工控計(jì)算機(jī)使用
Intel今天公布了全新的工藝路線圖，10nm Enhaned SuperFine、7nm分別改名為Intel 7、Intel 4(奇怪的寫法需要適應(yīng)適應(yīng))，分別用于年底的Alder Lake 12代酷睿/明年的Raptor Lake 13代酷睿、后年的Meteor Lake 14代酷睿。
再往后則是Intel 3，以及全新晶體管架構(gòu)的Intel 20A、Intel 18A。
Meteor Lake此前官方也披露過，計(jì)算模塊(Compute Tile/Compute Die)也就是CPU內(nèi)核部分今年第二季度完成流片，首次在桌面采用Foveros混合封裝。
按照Intel披露的最新信息，F(xiàn)overos將具備晶圓級(jí)的封裝能力，史上第一次提供3D堆疊解決方案，不同IP模塊可以使用不同工藝，封裝凸點(diǎn)間距(bump pitch) 36-50微米。
Meteor Lake上用的Foveros封裝技術(shù)已經(jīng)是第二代，之前首發(fā)的是Lakefield，也是大小核混合架構(gòu)的嘗鮮之作。
Intel 4工藝Meteor Lake自曝：熱設(shè)計(jì)功耗最低5W
根據(jù)最新公布的示意圖，Meteor Lake主要有三個(gè)部分封裝在一起，一是計(jì)算模塊，二是GPU模塊，多達(dá)96-192個(gè)計(jì)算單元，三是SoC-LP，應(yīng)該是包含內(nèi)存控制器、PCIe控制器等輸入輸出部分，類似AMD銳龍/霄龍里的IO Die。
另外，Meteor Lake的熱設(shè)計(jì)功耗范圍是最低5W、最高125W，這也和當(dāng)下的產(chǎn)品線保持基本一致，Alder Lake 12代酷睿在移動(dòng)端最低就可以做到5W，而這在以往都是Atom低功耗架構(gòu)才能達(dá)成的。
Intel 4工藝Meteor Lake自曝：熱設(shè)計(jì)功耗最低5W
PS：Intel Xe HPC高性能計(jì)算架構(gòu)的Ponte Vecchio計(jì)算卡，也會(huì)使用第二代Foveros封裝，同時(shí)還有EMIB封裝，首次綜合使用。
Intel 4工藝Meteor Lake自曝：熱設(shè)計(jì)功耗最低5W。
10年前的2011年，Intel首發(fā)了FinFET工藝，22nm FinFET工藝當(dāng)時(shí)遠(yuǎn)超臺(tái)積電、三星的28nm，技術(shù)優(yōu)勢領(lǐng)先友商至少三年半（Intel之前的官方表態(tài)），然而14nm節(jié)點(diǎn)之后，Intel落伍了。
從2014年到2021年，Intel的主流CPU工藝都是14nm，打磨出了14nm、14nm+及14nm++三代工藝，創(chuàng)造了8核5GHz處理器的神話，性能還是很強(qiáng)大的。
然而這10年中臺(tái)積電抓住了移動(dòng)處理器的機(jī)會(huì)，工藝一路升級(jí)到了現(xiàn)在的7nm、5nm，哪怕被認(rèn)為技術(shù)水平有水分，但臺(tái)積電已然成為芯片制造的王者。
如果大家了解了這個(gè)背景，那么Intel今天公布的新一代CPU工藝路線圖就更好理解了，3月份上任的新CEO基辛格是有著30多年經(jīng)驗(yàn)的Intel老將，見證了Intel工藝最輝煌的時(shí)代，現(xiàn)在他要重整旗鼓。
當(dāng)然，這次的改革有一點(diǎn)讓網(wǎng)友感覺驚訝的地方，那就是Intel真的如之前網(wǎng)友調(diào)侃的段子那樣，上來就玩了一把給工藝改名的游戲——年底的10nm ESF工藝改名為Intel 7，計(jì)劃中的7nm改名為Intel 4，未來還會(huì)繼續(xù)推出Intel 3工藝，這次的改名直接讓Intel跟臺(tái)積電站到同一起跑線上了，畢竟臺(tái)積電2023年量產(chǎn)的也是3nm工藝，同樣也是最后一代FinFET工藝。
Intel這次推出的工藝不僅僅是改名那么簡單，有一件事非常值得關(guān)注，那就是Intel要率先從納米時(shí)代進(jìn)入埃米時(shí)代（?ngstrom，1納米等于10埃米），這就是Intel預(yù)計(jì)2024年推出的Intel 20A工藝，其中的A就指的是埃米。
到了埃米時(shí)代，20A工藝有兩大革命性新技術(shù)，RibbonFET及PowerVia，前者就是類似三星的GAA環(huán)繞柵極晶體管，PoerVia則首創(chuàng)取消晶圓前側(cè)的供電走線，改用后置供電，也可以優(yōu)化信號(hào)傳輸。
現(xiàn)在20A工藝的具體細(xì)節(jié)還沒公布，但從字面意義上來看，20A差不多是2nm工藝的水平，倒也符合3nm之后的摩爾定律進(jìn)步。
20A工藝之后還有18A工藝，除了繼續(xù)改進(jìn)RibbonFET及PowerVia技術(shù)之外，Intel預(yù)計(jì)還會(huì)首發(fā)NA 0.55的下一代EUV光刻機(jī)。
如果用一句話解釋Intel的目標(biāo)，那就是CEO基辛格日前在媒體采訪中的表態(tài)——在2024年到2025年間，Intel將重返半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先地位，沒明說的言外之意就是要超越三星、太臺(tái)積電，同時(shí)確保美國在半導(dǎo)體技術(shù)上的地位無可動(dòng)搖。